Išsami saulės fotovoltinių elementų klasifikacija

Saulės fotovoltiniai elementaigali būti klasifikuojami pagal įvairius standartus:

Medžiagų klasifikacija:

Silicio saulės elementai: daugiausia pagaminti iš p tipo ir n tipo silicio, tai yra plačiausiai naudojami saulės elementai.

Vario indžio selenido (CIS) saulės elementai: naudokite vario indžio selenidą, žinomą dėl didesnio efektyvumo ir ilgesnio tarnavimo laiko.

Vario indžio galio selenido (CIGS) saulės elementai: pagaminti iš vario indžio galio selenido, pasižymintys didesniu efektyvumu nei NVS, bet už didesnes gamybos sąnaudas.

Gamybos proceso klasifikacija:

Monokristaliniai silicio saulės elementai: didesnis efektyvumas, bet didesnės gamybos sąnaudos.

Polikristaliniai silicio saulės elementai: mažesnis efektyvumas, bet mažesnės gamybos sąnaudos.

Dažams jautrūs saulės elementai: naudokite dažais įjautrintas puslaidininkines medžiagas, kurių gamybos sąnaudos yra mažos, bet efektyvumas mažesnis.

Ląstelių struktūros klasifikacija:

Teigiamą / neigiamą krūvį atskiriantys plonasluoksniai saulės elementai: naudokite teigiamo / neigiamo krūvio atskyrimo plėvelės technologiją, žinomą dėl didesnio efektyvumo ir ilgesnio tarnavimo laiko.

Organiniai saulės elementai: pagaminti iš organinių puslaidininkinių medžiagų, pasižymintys mažomis gamybos sąnaudomis ir paprastais gamybos procesais, tačiau mažesniu efektyvumu.

Dydis ir monokristalinė / polikristalinė klasifikacija (įprasta Kinijoje):

Monokristaliniai 125125, monokristaliniai 156156, polikristaliniai 156156, monokristaliniai 150150, monokristaliniai 103103, polikristaliniai 125125 ir kt.

Silicio kristalizacijos būsenos klasifikacija:

Monokristaliniai silicio saulės elementai: didžiausias fotoelektrinės konversijos efektyvumas, iki maždaug 15% iki 24%, bet didesnės gamybos sąnaudos.

Polikristaliniai silicio saulės elementai: fotoelektrinio konversijos efektyvumas apie 12%, palyginti su mažesnėmis gamybos sąnaudomis.

Amorfiniai silicio saulės elementai: šie plonasluoksniai saulės elementai, pristatyti 1976 m., pasižymi mažesniu fotoelektrinės konversijos efektyvumu ir stabilumu, tačiau gali generuoti elektros energiją esant silpnam apšvietimui.